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安世半导体推出新款600 V单管IGBT

发布时间：2023-07-05 16:50:49 来源： 财联社


(资料图片仅供参考)

《科创板日报》5日讯，安世半导体今日宣布，推出新款600 V单管IGBT。据介绍，新款600 V单管IGBT采用载流子储存沟槽栅场截止（FS）结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。

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